[发明专利]氧化硅薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201410192908.7 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103943465B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化硅薄膜制备方法，包括包括依次执行氮化硅薄层形成处理和氧化硅薄层形成处理。其中，所述氮化硅薄层形成处理包括第一步骤，用于以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；第二步骤，利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；第三步骤，在所述反应腔中通入氮气和/或氨气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氮化。而且其中，所述氧化硅薄层形成处理包括第四步骤，用于在所述反应腔中通入氧气等离子体对晶圆表面的氮化硅薄层进行氧化以形成氧化硅薄层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅薄膜制备方法，其特征在于包括依次执行氮化硅薄层形成处理和氧化硅薄层形成处理；其中，所述氮化硅薄层形成处理包括：第一步骤，用于以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；第二步骤，利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；第三步骤，在所述反应腔中通入氮气和/或氨气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氮化；而且其中，所述氧化硅薄层形成处理包括第四步骤，用于在所述反应腔中通入氧气等离子体对晶圆表面的氮化硅薄层进行氧化以形成氧化硅薄层；在所述氧化硅薄层形成处理之后执行下述步骤：以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；在所述反应腔中通入氧气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
