[发明专利]一种宽电源、高稳定性的石英晶体振荡电路有效
申请号: | 201410193545.9 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN105897164B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 孙志亮;霍俊杰;朱永成;黄钧;陈震 | 申请(专利权)人: | 紫光同芯微电子有限公司;唐山国芯晶源电子有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙) 11462 | 代理人: | 孙东风 |
地址: | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种宽电源、高稳定性的石英晶体振荡电路,涉及集成电路技术领域。本发明包括选频网络电路、偏置电路一、偏置电路二、放大器电路和输出电路。同现有技术相比,本发明是一种具备低电源电压、输出频率稳定的晶体振荡电路,能充分保证振荡电路工作的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 电源 稳定性 石英 晶体 振荡 电路 | ||
【主权项】:
1.一种宽电源、高稳定性的石英晶体振荡电路,其特征在于,它包括选频网络电路(101)、偏置电路一(102_1)、偏置电路二(102_2)、放大器电路(103)和输出电路(104);选频网络电路(101)包括:第一电容器(C1)、第二电容器(C2)和第一晶体振荡器,第一电容器(C1)的一端和第二电容器(C2)的一端相连接并接地VSS,第一电容(C1)的另一端接第一晶体振荡器的XTAL_OUT端并作为选频网络的输出端,第二电容器(C2)的另一端接第一晶体振荡器的XTAL_IN端并作为选频网络的输入端;偏置电路一(102_1)包括:第五PMOS晶体管(MP5)、第四PMOS晶体管(MP4)和第三PMOS晶体管(MP3);第五PMOS晶体管(MP5)的源极接电源VDD,第五PMOS晶体管(MP5)的漏极接其栅极并作为偏置电路的输入端Iin,第五PMOS晶体管(MP5)的栅极还连接到第四PMOS晶体管(MP4)的栅极,第四PMOS晶体管(MP4)的源极接电源VDD,第四PMOS晶体管(MP4)的漏极接第四NMOS晶体管(MN4)的漏极,第四PMOS晶体管(MP4)的栅极接第三PMOS晶体管(MP3)的栅极,第三PMOS晶体管(MP3)的源极接电源VDD,第三PMOS晶体管(MP3)的漏极作为偏置电路的第一输出端Iout1;偏置电路二(102_2)包括:第四NMOS晶体管(MN4)和第三NMOS晶体管(MN3);第四NMOS晶体管(MN4)的源极接地VSS,第四NMOS晶体(MN4)的栅极接其漏极,并接第三NMOS晶体管(MN3)的栅极,第三NMOS晶体管(MN3)的漏极作为偏置电路的第二输出端Iout2;放大器电路(103)包括:第二NMOS晶体管(MN2)、第一NMOS晶体管(MN1)、第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)、第三电容器(C3)和第四电容器(C4);第二NMOS晶体管(MN2)的漏极接偏置电路的第一输出端Iout1,并接第二NMOS晶体管(MN2)栅极,第二NMOS晶体管(MN2)的源极接第一NMOS晶体管(MN1)的漏极,第一NMOS晶体管(MN1)的源极接地VSS,第一NMOS晶体管(MN1)的栅极接第二NMOS晶体管(MN2)的栅极,第三电容器(C3)的一端接第一NMOS晶体管(MN1)的栅极,第三电容器(C3)另一端接第四电容器(C4)的一端并作为放大器的输入端,第四电容器(C4)的另一端接第一PMOS晶体管(MP1)的栅极,第一PMOS晶体管(MP1)的源极接电源VDD,第一PMOS晶体管(MP1)的漏极接第二PMOS晶体管(MP2)的源极,第一PMOS晶体管(MP1)的栅极接第二PMOS晶体管(MP2)的栅极,第二PMOS晶体管(MP2)的漏极接偏置电路的第二输出端Iout2,并接第二PMOS晶体管(MP2)的栅极,第一NMOS晶体管(MN1)的漏极与第一PMOS晶体管(MP1)的漏极相连接,并作为放大器的输出端XTALOUT;放大器电路(103)的输入端与第一晶体振荡器的XTAL_IN端相连接,放大器电路(103)的输出端CLOCK_OUT与第一晶体振荡器的XTAL_OUT端相连接;输出电路(104)包括:依次连接的第一施密特触发器(S1)、第一CMOS反相器(2)和第二CMOS反相器(3);第一施密特触发器(S1)的输入端CLOCK_IN接放大器的输出端XTALOUT,第二CMOS反相器(3)的输出端CLOCK_OUT输出一个稳定的时钟信号。
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