[发明专利]一种宽电源、高稳定性的石英晶体振荡电路有效

专利信息
申请号: 201410193545.9 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN105897164B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 孙志亮;霍俊杰;朱永成;黄钧;陈震 申请(专利权)人: 紫光同芯微电子有限公司;唐山国芯晶源电子有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙) 11462 代理人: 孙东风
地址: 100083 北京市海淀区五*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种宽电源、高稳定性的石英晶体振荡电路,涉及集成电路技术领域。本发明包括选频网络电路、偏置电路一、偏置电路二、放大器电路和输出电路。同现有技术相比,本发明是一种具备低电源电压、输出频率稳定的晶体振荡电路,能充分保证振荡电路工作的可靠性。
搜索关键词: 一种 电源 稳定性 石英 晶体 振荡 电路
【主权项】:
1.一种宽电源、高稳定性的石英晶体振荡电路,其特征在于,它包括选频网络电路(101)、偏置电路一(102_1)、偏置电路二(102_2)、放大器电路(103)和输出电路(104);选频网络电路(101)包括:第一电容器(C1)、第二电容器(C2)和第一晶体振荡器,第一电容器(C1)的一端和第二电容器(C2)的一端相连接并接地VSS,第一电容(C1)的另一端接第一晶体振荡器的XTAL_OUT端并作为选频网络的输出端,第二电容器(C2)的另一端接第一晶体振荡器的XTAL_IN端并作为选频网络的输入端;偏置电路一(102_1)包括:第五PMOS晶体管(MP5)、第四PMOS晶体管(MP4)和第三PMOS晶体管(MP3);第五PMOS晶体管(MP5)的源极接电源VDD,第五PMOS晶体管(MP5)的漏极接其栅极并作为偏置电路的输入端Iin,第五PMOS晶体管(MP5)的栅极还连接到第四PMOS晶体管(MP4)的栅极,第四PMOS晶体管(MP4)的源极接电源VDD,第四PMOS晶体管(MP4)的漏极接第四NMOS晶体管(MN4)的漏极,第四PMOS晶体管(MP4)的栅极接第三PMOS晶体管(MP3)的栅极,第三PMOS晶体管(MP3)的源极接电源VDD,第三PMOS晶体管(MP3)的漏极作为偏置电路的第一输出端Iout1;偏置电路二(102_2)包括:第四NMOS晶体管(MN4)和第三NMOS晶体管(MN3);第四NMOS晶体管(MN4)的源极接地VSS,第四NMOS晶体(MN4)的栅极接其漏极,并接第三NMOS晶体管(MN3)的栅极,第三NMOS晶体管(MN3)的漏极作为偏置电路的第二输出端Iout2;放大器电路(103)包括:第二NMOS晶体管(MN2)、第一NMOS晶体管(MN1)、第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)、第三电容器(C3)和第四电容器(C4);第二NMOS晶体管(MN2)的漏极接偏置电路的第一输出端Iout1,并接第二NMOS晶体管(MN2)栅极,第二NMOS晶体管(MN2)的源极接第一NMOS晶体管(MN1)的漏极,第一NMOS晶体管(MN1)的源极接地VSS,第一NMOS晶体管(MN1)的栅极接第二NMOS晶体管(MN2)的栅极,第三电容器(C3)的一端接第一NMOS晶体管(MN1)的栅极,第三电容器(C3)另一端接第四电容器(C4)的一端并作为放大器的输入端,第四电容器(C4)的另一端接第一PMOS晶体管(MP1)的栅极,第一PMOS晶体管(MP1)的源极接电源VDD,第一PMOS晶体管(MP1)的漏极接第二PMOS晶体管(MP2)的源极,第一PMOS晶体管(MP1)的栅极接第二PMOS晶体管(MP2)的栅极,第二PMOS晶体管(MP2)的漏极接偏置电路的第二输出端Iout2,并接第二PMOS晶体管(MP2)的栅极,第一NMOS晶体管(MN1)的漏极与第一PMOS晶体管(MP1)的漏极相连接,并作为放大器的输出端XTALOUT;放大器电路(103)的输入端与第一晶体振荡器的XTAL_IN端相连接,放大器电路(103)的输出端CLOCK_OUT与第一晶体振荡器的XTAL_OUT端相连接;输出电路(104)包括:依次连接的第一施密特触发器(S1)、第一CMOS反相器(2)和第二CMOS反相器(3);第一施密特触发器(S1)的输入端CLOCK_IN接放大器的输出端XTALOUT,第二CMOS反相器(3)的输出端CLOCK_OUT输出一个稳定的时钟信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于紫光同芯微电子有限公司;唐山国芯晶源电子有限公司,未经紫光同芯微电子有限公司;唐山国芯晶源电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410193545.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code