[发明专利]一种单层过渡金属硫属化物薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410194094.0 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103964507A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 向斌;杨雷;黄建;伏启 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01B19/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单层过渡金属硫属化物薄膜及其制备方法，所述过渡金属硫属化物薄膜具有由MX2表示的化学组成，其中M＝Mo或W；X＝S或Se，所述薄膜的面积大于0.01mm2。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 过渡 金属 硫属化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单层过渡金属硫属化物薄膜，所述过渡金属硫属化物薄膜具有由MX2表示的化学组成，其中M＝Mo或W；X＝S或Se，所述薄膜的面积为0.01mm2以上并且5mm2以下。
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