[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：一硅衬底；一初始缓冲层，布置在硅衬底上并包括氮化铝(AlN)，以及一器件层，布置在初始缓冲层上并包括一半导体化合物，其中，在初始缓冲层和硅衬底之间不存在SiN，并且硅衬底的硅晶格直接接触初始缓冲层的晶格。

主权项

1.一种半导体器件，包括：硅衬底；初始缓冲层，布置在所述硅衬底上并包括氮化铝AlN；器件层，布置在所述初始缓冲层上并包括半导体化合物；过渡层，布置在所述初始缓冲层和所述器件层之间；以及至少一中间层，布置在所述过渡层和所述器件层之间，其中，所述中间层包括第一中间层以及布置在所述第一中间层和所述器件层之间的第二中间层，其中所述硅衬底的硅晶格直接接触所述初始缓冲层的晶格，其中，所述初始缓冲层包括沉积在所述硅衬底上的超薄Al薄膜和位于所述Al薄膜上的AlN层，并且所述硅衬底的所述硅晶格直接接触所述初始缓冲层的所述Al薄膜的晶格，其中，所述过渡层包括多个AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格单元层，所述AlN超晶格层是底层并且所述Al_xGa_1‑xN超晶格层是叠置在所述AlN超晶格层上的顶层，其中满足0<x<1，其中，所述第一中间层与所述Al_xGa_1‑xN超晶格层直接接触且包含非掺杂GaN，所述第二中间层与所述器件层直接接触且包含Al_yGa_1‑yN，其中0<y<1。