[发明专利]一种监测晶圆固定器应力的方法有效
| 申请号： | 201410195850.1 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105097582B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 高国珺;王振辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监测晶圆固定器应力的方法，所述方法包括提供监测晶圆，所述监测晶圆包括半导体衬底和位于其上的氧化物层；对所述监测晶圆进行预退火处理，以消除表面电荷；对所述监测晶圆进行离子注入；测试所述监测晶圆的表面电荷累积程度，以获得所述表面电荷的分布情况，所述表面电荷分布异常区对应区域的应力也存在异常。根据本发明的晶圆表面电性测试来对晶圆固定器进行应力分析，对应力存在异常的固定点及时进行调整，以保证离子注入制程的正常进行，进而可提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 固定器 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种监测晶圆固定器应力的方法，所述方法包括：提供监测晶圆，所述监测晶圆包括半导体衬底和位于其上的氧化物层；对所述监测晶圆进行退火处理，以消除表面电荷；对所述监测晶圆进行离子注入，其中，所述晶圆固定器在所述离子注入过程中对所述监测晶圆进行固定；测试所述监测晶圆的表面电荷累积程度，以获得所述表面电荷的分布情况，所述表面电荷分布异常区对应区域的应力也存在异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
