[发明专利]一种用于HTOL测试的闪存设置方法有效
| 申请号： | 201410195902.5 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105097048B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 詹奕鹏;金起準;赵国旭;叶晓;杨震 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于HTOL测试的闪存设置方法，涉及半导体技术领域。本发明的用于HTOL测试的闪存设置方法，通过设置在源极、控制栅与衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差，因此，可以改善控制栅的电荷储存能力，保证HTOL测试的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 htol 测试 闪存 设置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存为NOR型闪存，所述闪存包括衬底、源极和控制栅，其中，所述方法包括：在所述衬底上施加的电压为Vcc，在所述控制栅上施加的电压为GND，在所述源极上施加的电压为GND，通过设置在所述源极、所述控制栅与所述衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410195902.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
