[发明专利]半导体装置和显示装置有效

专利信息
申请号: 201410196055.4 申请日: 2008-12-02
公开(公告)号: CN103985763B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 山崎舜平;后藤裕吾;村川努 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 侯颖媖
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置和显示装置,其目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜;在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜;在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜;以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。
搜索关键词: 半导体 装置 显示装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:具有挠性的衬底上的第一岛状膜,在所述第一岛状膜和所述衬底之间夹有第一绝缘膜;所述第一岛状膜上的半导体膜,所述半导体膜包括沟道形成区域、源区域和漏区域;所述半导体膜上的栅电极,在所述半导体膜和所述栅电极之间夹有栅极绝缘膜;以及所述栅电极上的第二岛状膜,所述第二岛状膜上的第二绝缘膜,所述第二绝缘膜上的导电膜,其中,所述半导体膜的整个区域与所述第一岛状膜重叠,其中,所述第二岛状膜与所述栅电极、所述源区域和所述漏区域重叠,其中,在所述第二绝缘膜中设置有开口部,其中,所述导电膜通过所述开口部电连接于所述半导体膜,其中,所述开口部与所述第一岛状膜重叠但不与所述第二岛状膜重叠,其中,所述半导体膜设置在所述第一岛状膜与所述第二岛状膜之间,且其中,所述第二岛状膜的厚度比所述第一岛状膜的厚度大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410196055.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top