[发明专利]电平转移电路无效
| 申请号： | 201410196543.5 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103944556A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 丁启源;赵德林;王富中 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电平转移电路，包括：第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管，第一PMOS晶体管，第二PMOS晶体管，第一限流器及第二限流器；第一NMOS晶体管的栅极及第一限流器的控制端共接；第二NMOS晶体管栅极及第二限流器控制端共接；第一限流器第一电极和第二限流器第一电极耦接到正电源；第一NMOS晶体管源极和第二NMOS晶体管源极耦接到地；第一限流器第二电极与第一PMOS晶体管源级耦接，第二限流器第二电极与第二PMOS晶体管源级耦接；第一PMOS晶体管栅极、第二PMOS晶体管漏极及第二NMOS晶体管漏极共接；第二NMOS晶体管栅极、第一PMOS晶体管漏极及第一NMOS晶体管漏极共接。所述电路可以限制贯通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 转移 电路 | ||
【主权项】：
一种电平转移电路，其特征在于，包括：第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管，第一PMOS晶体管，第二PMOS晶体管，第一限流器以及第二限流器；所述第一NMOS晶体管的栅极以及所述第一限流器的控制端共接，形成第一输入端；所述第二NMOS晶体管的栅极以及所述第二限流器的控制端共接，形成第二输入端；所述第一限流器的第一电极和所述第二限流器的第一电极分别耦接到正电源；所述第一NMOS晶体管的源极和所述第二NMOS晶体管的源极分别耦接到地；所述第一限流器的第二电极与所述第一PMOS晶体管的源级耦接，所述第二限流器的第二电极与所述第二PMOS晶体管的源级耦接；所述第一PMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的漏极以及所述第二NMOS晶体管的漏极共接，形成所述电平转移电路的第一输出端；所述第二NMOS晶体管的栅极、所述第一PMOS晶体管的漏极以及所述第一NMOS晶体管的漏极共接，形成所述电平转移电路的第二输出端。
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