[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在半导体衬底表面形成隔离层；在所述鳍部表面和隔离层表面形成栅介质层；在部分栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极；在栅介质层和栅极表面形成侧墙材料层；对侧墙材料层进行第一角度等离子体刻蚀，去除鳍部一侧的侧壁上的侧墙材料层；对侧墙材料层进行第二角度等离子体刻蚀，去除鳍部另一侧的侧壁上的侧墙材料层和栅介质层上剩余的侧墙材料层，形成位于栅极侧壁表面的侧墙。上述方法可以在形成栅极侧壁上的侧墙的同时，去除位于鳍部侧壁表面的侧墙材料层，提高最终形成的鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成凸起的鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面并覆盖部分鳍部的侧壁；在所述鳍部表面和隔离层表面形成栅介质层；在部分栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极；在所述栅介质层和栅极表面形成侧墙材料层；对所述侧墙材料层进行第一角度等离子体刻蚀，所述第一角度等离子体的运动方向与鳍部长度方向垂直，并且与半导体衬底表面的法线之间具有第一倾斜角，用于去除鳍部一侧的侧壁上的侧墙材料层、隔离层表面的栅介质层上的部分侧墙材料层、鳍部顶部的侧墙材料层和栅极顶部的侧墙材料层；对所述侧墙材料层进行第二角度等离子体刻蚀，所述第二角度等离子体的运动方向与鳍部长度方向垂直，并且与半导体衬底表面的法线方向之间具有第二倾斜角，所述第二倾斜角和第一倾斜角分别位于所述法线的两侧，用于去除鳍部另一侧的侧壁上的侧墙材料层和栅介质层上剩余的侧墙材料层，形成位于栅极侧壁表面的侧墙。