[发明专利]一种具有非连续沟槽设计的肖特基器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410196577.4 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103972306A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张小辛;傅静;余强 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有非连续沟槽设计的肖特基器件结构及其制作方法，所述肖特基器件结构包括呈网络状分布的肖特基结面、以及呈网格阵列分布于所述肖特基结面中的多个岛状沟槽结构；所述肖特基结面为N型轻掺杂硅外延层及金属硅化物形成；所述岛状沟槽结构包括形成于所述N型轻掺杂硅外延层中的沟槽、形成于所述沟槽表面的介质层以及填充于所述沟槽内的多晶硅层。本发明最大限度地降低了沟槽总面积，使得沟槽型功率肖特基器件的有效面积最大化，在保证反向漏电和反向耐压性能不降低的情况下，最大限度地降低了正向压降和提高了器件对浪涌冲击的耐受力。本发明器件结构和制作方法简单，不增加成本，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 连续 沟槽 设计 肖特基 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有非连续沟槽设计的肖特基器件结构，其特征在于：所述肖特基器件结构包括呈网络状分布的肖特基结面、以及呈网格阵列分布于所述肖特基结面中的多个岛状沟槽结构；所述肖特基结面为N型轻掺杂硅外延层及金属硅化物形成；所述岛状沟槽结构包括形成于所述N型轻掺杂硅外延层中的沟槽、形成于所述沟槽表面的介质层以及填充于所述沟槽内的多晶硅层。
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