[发明专利]降低临界电压的方法、非挥发性记忆体及其擦除操作方法

摘要

本发明是有关于一种降低记忆体临界电压的方法、非挥发性记忆体的擦除操作方法、及使用该方法的非挥发性记忆体，可用以改善非挥发性记忆体的低临界电压擦除状态正确性。在此方法中，从非挥发性记忆体的多个记忆胞，根据一第一电压与一第二电压选择至少一记忆胞，其中此第一电压小于此第二电压，而此第一电压大于或等于非挥发性记忆体的擦除状态电压位准。此第二电压小于或等于非挥发性记忆体的读取电压位准。对此至少一选定记忆胞施以一重整擦除操作，以擦除选定记忆胞的电荷而降低此至少一选定记忆胞的临界电压。

主权项

1.一种降低记忆体临界电压的方法，适用于非挥发性记忆体，其特征在于其包括以下步骤：从该非挥发性记忆体的多个记忆胞中，根据一第一电压与一第二电压选择至少一选定记忆胞，其中该第一电压小于该第二电压，该第一电压大于或等于该非挥发性记忆体的擦除状态电压位准，该第二电压小于或等于该非挥发性记忆体的读取电压位准；以及对该至少一选定记忆胞施以一重整擦除操作，以擦除该至少一选定记忆胞的电荷而降低该至少一选定记忆胞的临界电压；其中该重整擦除操作包括：藉由将第一栅极电压施加于该至少一选定记忆胞的栅极，以及将第一漏极电压施加于该至少一选定记忆胞的漏极，以擦除该至少一选定记忆胞的该栅极的电荷，并降低该至少一选定记忆胞的该临界电压；对该非挥发性记忆体的多个记忆胞中未被选择的其他记忆胞中，与选定记忆胞同一字线的部分其他记忆胞的栅极施以一第二栅极电压，并对该部分其他记忆胞的漏极施以该第一漏极电压，与选定记忆胞同一位线的部分其他记忆胞的栅极施以该第一栅极电压，并对该部分其他记忆胞的漏极施以一第二漏极电压，其中，该第二栅极电压与该第二漏极电压不会影响这些其他记忆胞的状态。