[发明专利]半导体器件制造工艺和半导体器件

摘要

本申请提供了一种半导体器件制造工艺和半导体器件。半导体器件制造工艺包括对晶圆表面进行液相金属粉末涂覆工艺处理。由于对晶圆表面进行液相金属粉末涂覆工艺处理，因而使得相邻两个金属栅极之间的通孔内和介质层的上表面均能均匀涂覆有足够反应量的液相金属粉末，保证了液相金属粉末最后能在通孔内形成金属硅化物，并能保证各处金属硅化物的厚度满足使用要求，从而使金属硅化物所在位置处具有导电性良好、电阻低、能耗低等特点，进而保证了半导体器件的导电性能、使用可靠性和工作稳定性。同时，本申请中的半导体器件制造工艺具有工艺简单、制造可靠性好的特点。

主权项

1.一种半导体器件制造工艺，其特征在于，包括对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理，所述对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理包括：步骤S1：将纳米级尺寸的金属粉末(11)与溶剂混合，以形成所述液相金属粉末(10)，所述溶剂为去离子水或有机溶剂；步骤S2：将所述液相金属粉末(10)旋涂在所述晶圆表面上；所述半导体器件制造工艺还包括在所述对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理前的预处理步骤，所述预处理步骤包括：步骤S10：在衬底(20)上沉积介质层(30)；步骤S20：在所述介质层(30)上涂覆光刻胶；步骤S30：对所述介质层(30)进行刻蚀得到通孔(40)，所述光刻胶的一部分作为所述通孔(40)的刻蚀掩膜，所述介质层(30)的上表面和所述通孔(40)为所述晶圆表面，并且所述液相金属粉末(10)与所述介质层(30)的上表面接触。