[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201410199456.5 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097536A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有介质层；在所述介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有若干暴露出介质层表面的第一开口；以所述掩膜层为掩膜，采用气体团簇离子束轰击工艺刻蚀所述介质层直至暴露出衬底表面为止，在所述介质层内形成第二开口，所形成的第二开口侧壁垂直于衬底表面；在所述第二开口内形成鳍部；去除掩膜层和部分介质层，暴露出部分鳍部的侧壁表面，使所述介质层的表面低于鳍部的顶部。所形成的鳍部形貌良好、结构尺寸精确均一。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有介质层；在所述介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有若干暴露出介质层表面的第一开口；以所述掩膜层为掩膜，采用气体团簇离子束轰击工艺刻蚀所述介质层直至暴露出衬底表面为止，在所述介质层内形成第二开口，所形成的第二开口侧壁垂直于衬底表面；在所述第二开口内形成鳍部；去除掩膜层和部分介质层，暴露出部分鳍部的侧壁表面，使所述介质层的表面低于鳍部的顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
