[发明专利]反熔丝元件、反熔丝元件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201410199530.3 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097771B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种反熔丝元件、反熔丝元件的制造方法及半导体器件。该反熔丝元件包括第一导电层、第二导电层以及设置在第一导电层和第二导电层之间的介电层，该反熔丝元件还包括第一导电凸起，设置在第一导电层的靠近介电层的一侧，且第一导电凸起的远离第一导电层的一端的宽度小于第一导电层的宽度。根据本申请反熔丝元件、反熔丝元件的制造方法及半导体器件，能够降低反熔丝元件的耗电量，并提高反熔丝元件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 元件 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种反熔丝元件，包括第一导电层、第二导电层以及设置在第一导电层和第二导电层之间的介电层，其特征在于，还包括：第一导电凸起，设置在所述第一导电层的靠近所述介电层的一侧，且所述第一导电凸起的远离所述第一导电层的一端的宽度小于所述第一导电层的宽度；所述反熔丝元件还包括第二导电凸起，所述第二导电凸起设置在所述第二导电层的靠近所述介电层的一侧，所述第二导电凸起的远离所述第二导电层的一端的宽度小于所述第二导电层的宽度，且所述第一导电凸起与所述第二导电凸起的凸起方向相对。
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