[发明专利]一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法有效
| 申请号： | 201410200248.2 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103956394A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 左传天;丁黎明 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法。所述方法包括：在钙钛矿的反应物中加入添加剂形成钙钛矿前驱体溶液；然后将所述前驱体溶液旋涂到覆盖有电子传输材料或空穴传输材料的基底上，热处理后形成钙钛矿吸光层薄膜；其中，所述添加剂包括CnH2n+1NH3B、AB型化合物中的一种或多种，其中n＝0～3，A选自一价金属，B选自F、Cl、Br或I。本发明的方法制备的钙钛矿太阳电池吸光层可以使电池效率从不到6％增加到超过10％，本发明的方法简单有效，简化了制备过程，可以节约生产成本。因此，本发明改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法具有极高的工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 钙钛矿 太阳电池 吸光层 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法，包括在钙钛矿的反应物中加入添加剂形成钙钛矿前驱体溶液；然后将所述前驱体溶液旋涂到覆盖有电子传输材料或空穴传输材料的基底上，热处理后形成钙钛矿吸光层薄膜；其中，所述添加剂包括CnH2n+1NH3B、AB型化合物中的一种或多种，其中n＝0～3，A选自一价金属，B选自F、Cl、Br或I。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
