[发明专利]双层压电薄膜悬臂梁传感器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410200445.4 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103985814A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杨冰 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/22 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层压电薄膜悬臂梁传感器结构及其制造方法，包括：双面抛光的半导体衬底；位于半导体衬底正面的空腔，即牺牲层腔；一固定端位于半导体衬底正面而另一活动端向所述牺牲层腔内部延伸的悬臂梁支撑结构；位于悬臂梁支撑层上方的双层压电薄膜悬臂梁结构；包裹悬臂梁结构的释放阻挡结构。双层悬臂梁传感器结构的制造采用表面牺牲层工艺，从半导体衬底正面释放压电悬臂梁结构，与标准硅集成电路工艺充分兼容，工艺简单受控，解决了体硅工艺用湿法腐蚀从衬底背面释放悬臂梁存在的污染问题，提高了成品率。双层压电薄膜通过增大变形幅度增强了压电效应的灵敏度，提高了悬臂梁对外部激励的响应和信号输出。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 压电 薄膜 悬臂梁 传感器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双层压电薄膜悬臂梁传感器结构，包括：双面抛光的半导体衬底；位于所述半导体衬底中的牺牲层腔；悬臂梁支撑结构，一固定端位于所述牺牲层腔外，另一活动端向牺牲层腔内部延伸，并中止于牺牲层腔内；位于所述悬臂梁支撑结构上方的悬臂梁结构；包裹悬臂梁结构外周的释放阻挡结构；其特征在于，所述牺牲层腔有位于所述半导体衬底正面的开口。
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