[发明专利]半导体晶片及其形成工艺

摘要

本公开涉及半导体晶片及其形成工艺。半导体晶片可以包括衬底、多晶模板层以及半导体层。该衬底具有中心区域和边缘区域，该多晶模板层沿着该衬底的外周边缘设置，并且半导体层在该中心区域之上，其中该半导体层是单晶的。在一实施例中，该多晶模板层和单晶层通过中间区域彼此横向间隔开。在另一个实施例中，该半导体层可以包含铝。形成衬底的工艺可以包括在该边缘区域内形成图案化的多晶模板层和在主表面之上形成半导体层。形成衬底的另一个工艺可以包括在主表面之上形成半导体层和去除该半导体层的一部分以使得该半导体层与该衬底的边缘间隔开。

主权项

1.一种半导体晶片，包括：具有主表面的衬底，所述主表面具有中心区域、边缘区域、以及设置于所述中心区域和所述边缘区域之间的中间区域；沿着所述衬底的周围边缘设置的多晶模板层；以及在所述中心区域之上的半导体层，其中所述半导体层是单晶的；其中：所述半导体层的第一部分是单晶的，并且位于所述中心区域内，所述半导体层的第二部分是多晶的，并且位置沿着侧表面，所述半导体层的所述第 一部分与所述半导体层的所述第二部分横向间隔开，并且所述中间区域设置在所述半导体层的所述第一部分与所述第二部分之间，并且所述中间区域不包含所述半导体层和所述多晶模板层中每一方的任何部分。