[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410201379.2 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097538B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 曾以志;赵杰;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管的形成方法，对栅极结构露出的衬底进行刻蚀之前，先在所述栅极结构露出的衬底上进行外延生长，形成外延层，这样在对栅极结构露出的衬底进行刻蚀的过程中，需要先刻蚀所述外延层，使得刻蚀而成的Σ形凹槽的六边形的尖端的水平位置提高，缩小了Σ形凹槽的六边形的尖端与栅极结构之间的垂直距离，Σ形凹槽中形成的应力层也就越靠近栅极结构，能够提高晶体管的载流子迁移率，进而提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 晶体管 刻蚀 形凹槽 衬底 六边形 外延层 载流子迁移率 垂直距离 外延生长 应力层 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构露出的衬底上进行外延生长，形成外延层；对所述外延层以及衬底进行刻蚀，形成Σ形凹槽；在所述Σ形凹槽中形成应力层，以形成源区或漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
