[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410201476.1 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104851877B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王世钰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括整流器、晶体管增强电流路径以及开关电路。整流器耦接于电路接地点与端点之间，端点用以耦接至外部电路；晶体管增强电流路径耦接至整流器；开关电路耦接至晶体管增强电流路径，并耦接于端点以及电路接地点之间。开关电路用以在正常操作期间关闭晶体管增强电流路径，并当静电放电(electrostatic discharge)发生于端点时，开启晶体管增强电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一整流器，耦接于一电路接地点与一端点之间，该端点用以耦接至一外部电路；一晶体管增强型电流路径(transistor‑enhanced current path)，耦接至该整流器；以及一开关电路，耦接至该晶体管增强型电流路径，并耦接于该端点以及该电路接地点之间，该开关电路用以：在正常操作期间关闭该晶体管增强型电流路径；以及当一静电放电(electrostatic discharge)发生于该端点时，开启该晶体管增强型电流路径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410201476.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一体式能量采集与存储器件结构及其制备方法
- 下一篇：凸块下金属化
