[发明专利]MEMS器件的真空封装结构和真空封装方法在审
| 申请号： | 201410201623.5 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105084292A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘炼;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 艾春慧;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MEMS器件的真空封装结构和真空封装方法。MEMS器件的真空封装结构包括：基体；MEMS器件，位于基体上；封盖，封盖与基体键合以将MEMS器件真空封装于基体和封盖之间；基体包括至少一层阻气层，用于阻挡基体在真空封装之前的工艺中产生的可逸出气体。根据本申请的技术方案，可以降低MEMS器件所在的基体在封装之前的工艺中产生的可逸出气体的释放对MEMS器件所处的真空环境的真空度的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 真空 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的真空封装结构，包括：基体；MEMS器件，位于所述基体上；封盖，所述封盖与所述基体键合以将所述MEMS器件真空封装于所述基体和所述封盖之间；其特征在于，所述基体包括至少一层阻气层，用于阻挡所述基体在真空封装之前的工艺中产生的可逸出气体。
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