[发明专利]一种具有精确检测功能的IGBT及其制造方法

摘要

本发明公开一种具有精确检测功能的IGBT及其制造方法。所述IGBT器件包括：主器件区域、被主器件区域包围的检测区域、隔离主器件区域和检测区域的隔离区域。所述IGBT检测区域栅电极通过隔离区域栅电极与主器件区域栅电极相连；第二导电类型隔离区域体区与第二导电类型主器件区域体区及第二导电类型检测区域体区均无电性连通；第二导电类型隔离区域体区与主器件区域发射极金属和检测区域发射极金属均无电性连通；第二导电类型隔离区域体区结深等于或大于第二导电类型主器件区域体区结深。本发明的IGBT器件有效的减少了隔离区域对检测信号的影响，提高了检测信号精度，并且与现有工艺完全兼容，不增加任何制造成本。

主权项

一种具有精确检测功能的IGBT，其特征在于：在所述IGBT器件第一主面的俯视平面上，包含主器件区域、检测区域以及隔离区域；所述主器件区域包含主器件栅电极接触和主器件发射电极接触及终端保护结构；所述检测区域被主器件区域包围，包含检测区域发射极电极；所述隔离区域将主器件区域和检测区域隔离；所述IGBT器件的截面上，半导体基板具有两个相对的主面，所述主面包括第一主面与第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移层；所述半导体基板的第二主面含有被主器件区域和检测器件区域共用的集电极金属，所述集电极金属与第一导电类型漂移层之间设置有第二导电类型层；在半导体基板第一主面漂移层上部，在主器件区域设置有被绝缘介质层包围的主器件区域栅电极和第二导电类型主器件区域体区，在第二导电类型主器件区域体区内设置有第一导电类类型主器件区域源区，第二导电类型主器件区域体区和第一导电类型主器件区域源区与主器件区域发射极金属电性连接；在检测区域设置有被绝缘介质层包围的检测区域栅电极和第二导电类型检测区域体区，在第二导电类型检测区域体区内设置有第一导电类型检测区域源区，第二导电类型检测区域体区和第一导电类型检测区域源区与检测区域发射极金属电性连接；在隔离区域漂移层上方设置有第二导电类型隔离区域体区和被绝缘介质层包围的隔离区域栅电极；所述检测区域栅电极通过隔离区域栅电极与主器件区域栅电极相连；第二导电类型隔离区域体区与第二导电类型主器件区域体区及第二导电类型检测区域体区均无电性连通；第二导电类型隔离区域体区与主器件区域发射极金属和检测区域发射极金属均无电性连通；第二导电类型隔离区域体区的结深等于或大于第二导电类型主器件区域体区的结深。