[发明专利]多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，可使多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高，从而使得薄膜晶体管的电学性能得到提升。该多晶硅薄膜的制备方法包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜；采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理，使非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜；进一步的在形成非晶硅薄膜之后，采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理之前，所述方法还包括：对非晶硅薄膜的表面进行镍盐溶液处理，使镍盐溶液均匀涂于非晶硅薄膜的表面。用于需要提高多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高的多晶硅薄膜、低温多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备。

主权项

一种多晶硅薄膜的制备方法，包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜；采用准分子激光退火方法对所述非晶硅薄膜进行处理，使所述非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜；其特征在于，在形成所述非晶硅薄膜之后，采用准分子激光退火方法对所述非晶硅薄膜进行处理之前，所述方法还包括：对所述非晶硅薄膜的表面进行镍盐溶液处理，使所述镍盐溶液均匀涂于所述非晶硅薄膜的表面。