[发明专利]LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201410203241.6 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103972334B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 农明涛;许孔祥;周佐华 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延层结构，包括依次叠置的量子阱应力释放层和多量子阱层，多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层；第二多量子阱层为InxGaN/GaN超晶格，InxGaN/GaN超晶格包括多个依次叠置的结构单元，每个结构单元包括第二InxGa阱层和第二GaN垒层；第一多量子阱层包括多个依次叠置的第一结构单元，第一结构单元包括彼此叠置的第一InxGa阱层和第一GaN垒层，第二InxGa阱层的厚度为第一InxGa阱层厚度的0.3～0.6倍；第二GaN垒层的厚度为第一GaN垒层厚度的0.3～0.6倍。本发明提供的LED外延层结构通过在第一多量子阱层下方设置第二多量子阱层，使得掺In量子阱应力释放层到第一多量子阱层的应力释放更加彻底，从而提高了所得具有该外延层结构的LED芯片的LOP等。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 生长 方法 具有 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED外延层结构，包括依次叠置的量子阱应力释放层(5)、多量子阱层和P型AlGaN层(7)，其特征在于，所述多量子阱层包括：第一多量子阱层(6)，所述第一多量子阱层(6)处于所述P型AlGaN层(7)底面上，所述第一多量子阱层(6)包括多个依次叠置的第一结构单元，所述第一结构单元包括依次叠置的第一InxGa(1～x)阱层和第一GaN垒层；第二多量子阱层(10)，所述第二多量子阱层(10)位于所述量子阱应力释放层(5)和所述第一多量子阱层(6)之间，所述第二多量子阱层(10)为InxGa(1～x)N/GaN超晶格，所述InxGa(1～x)N/GaN超晶格包括多个依次叠置的第二结构单元，每个所述第二结构单元包括依次叠置的第二InxGa(1～x)阱层和第二GaN垒层；其中，所述第二InxGa(1～x)阱层的厚度为所述第一InxGa(1～x)阱层厚度的0.3～0.6倍，所述第二GaN垒层的厚度为所述第一GaN垒层厚度的0.3～0.6倍；所述x＝0.20～0.21；所述第二InxGa(1～x)阱层中In的掺杂浓度介于所述第一InxGa(1～x)阱层中In掺杂浓度和所述量子阱应力释放层(5)中In掺杂浓度之间。
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