[发明专利]半浮栅晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410203559.4 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105097919B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 彭坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半浮栅晶体管结构及其制作方法。该半浮栅晶体管结构包括：衬底，具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区；栅氧化层，设置在衬底的表面上，具有间隔槽，间隔槽设置在第一N阱区所在衬底的表面上；浮栅，设置在衬底的表面上，且内部掺杂有P型杂质离子，浮栅包括：第一浮栅部，充满间隔槽设置；第二浮栅部，与第一浮栅部一体设置，且设置在第一浮栅部以及裸露的栅氧化层的表面上。掺杂有P型杂质离子的浮栅形成pn结二极管且位于衬底的表面以上，因此不需要对衬底进行刻蚀，避免由于刻蚀衬底导致的晶格结构破坏、半浮栅晶体管的漏电流和功耗增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半浮栅 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半浮栅晶体管结构，其特征在于，所述半浮栅晶体管结构包括：衬底，具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区；栅氧化层，设置在所述衬底的表面上，具有间隔槽，所述间隔槽设置在所述第一N阱区所在衬底的表面上；浮栅，设置在所述衬底的表面上，且内部掺杂有P型杂质离子，所述浮栅包括：第一浮栅部，充满所述间隔槽设置；第二浮栅部，与所述第一浮栅部一体设置，且设置在所述第一浮栅部以及裸露的所述栅氧化层的表面上，所述半浮栅晶体管结构还包括设置在所述衬底中的N型重掺杂区，所述N型重掺杂区与所述第一浮栅部形成pn结结构。
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