[发明专利]用于光伏器件的吸收层及其制造方法有效
申请号: | 201410203662.9 | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN104916716B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 黄乾燿 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种光伏器件,包括衬底、设置在衬底之上的背面接触层、以及设置在背面接触层之上的吸收层。该吸收层包括分别位于不同水平位置的至少两个区域。在吸收层的相应深度处,每个相应的区域分别具有不同的成分浓度分布。本发明也提供了用于光伏器件的吸收层及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 器件 吸收 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏器件,包括:衬底;背面接触层,设置在所述衬底之上;以及吸收层,设置在所述背面接触层之上,其中,所述吸收层包括分别位于不同水平位置的至少两个区域,并且在从所述吸收层的顶面延伸至所述吸收层的底面的整个体积中,在所述吸收层的相应的深度处每个相应的区域分别具有不同的成分浓度分布,其中,所述成分浓度分布是GGI比率,所述GGI比率限定为在所述吸收层的相应深度处的镓(Ga)与镓和铟(Ga+In)的总量的原子比率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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