[发明专利]用于光伏器件的吸收层及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410203662.9 申请日: 2014-05-14
公开(公告)号: CN104916716B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 黄乾燿 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种光伏器件,包括衬底、设置在衬底之上的背面接触层、以及设置在背面接触层之上的吸收层。该吸收层包括分别位于不同水平位置的至少两个区域。在吸收层的相应深度处,每个相应的区域分别具有不同的成分浓度分布。本发明也提供了用于光伏器件的吸收层及其制造方法。
搜索关键词: 用于 器件 吸收 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光伏器件,包括:衬底;背面接触层,设置在所述衬底之上;以及吸收层,设置在所述背面接触层之上,其中,所述吸收层包括分别位于不同水平位置的至少两个区域,并且在从所述吸收层的顶面延伸至所述吸收层的底面的整个体积中,在所述吸收层的相应的深度处每个相应的区域分别具有不同的成分浓度分布,其中,所述成分浓度分布是GGI比率,所述GGI比率限定为在所述吸收层的相应深度处的镓(Ga)与镓和铟(Ga+In)的总量的原子比率。
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