[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201410203708.7 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103972300A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;王刚;崔剑;方金钢 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，提出一种新的适用于薄膜晶体管有源层的材料，可以扩大有源层在材料上的可选择性，也可基于有源层的多种可选择材料来提高薄膜晶体管在工艺、成本方面的改善空间。该薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；其中，所述有源层的材料为高简并半导体。用于薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及其制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层的材料为高简并半导体。
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