[发明专利]半导体器件、集成电路以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410204575.5 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104167443B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;A.迈泽尔;T.施勒泽尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,徐红燕 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件、集成电路以及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括晶体管。该晶体管包括源极区、漏极区、本体区、漂移区域和邻近本体区的栅极电极。该本体区、漂移区域、源极区和漏极区被设置在具有第一主表面的第一半导体层中。该本体区和漂移区域沿着第一方向被设置在源极区和漏极区之间，该第一方向平行于第一主表面。沟槽被设置在第一半导体层中，该沟槽在第一方向上延伸。该晶体管还包括邻近漂移区域布置的漂移控制区。该漂移控制区和栅极电极被设置在沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成电路 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管，该晶体管包括在具有第一主表面的第一半导体层中的本体区、漂移区域、源极区和漏极区，所述本体区和漂移区域被设置在所述源极区和漏极区之间，所述源极区、所述本体区、所述漂移区域和所述漏极区被沿着第一方向设置，所述第一方向平行于第一主表面；在所述第一半导体层中并且在所述第一方向上延伸的沟槽，该晶体管还包括介电层、邻近所述本体区的栅极电极和邻近所述漂移区域的漂移控制区，所述漂移控制区和栅极电极被设置在所述沟槽中，所述介电层被设置在漂移区和漂移控制区之间，其中所述漂移控制区包括单晶半导体材料。
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