[发明专利]一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管，再通过电极引线外接，即可完成自驱动高速近红外光电探测器的制备。本发明中的近红外光电探测器使用透过率非常高石墨烯，增加了光的透光率，提高了光的响应度；通过在石墨烯和n型GaAs之间加上一层超薄的钝化层，减小了暗电流噪声，大大缩短了响应时间；本发明中的近红外探测器结构简单、成本很低、响应速度快、开关比大、暗电流噪声小、以及探测率高等优点，具有很大的市场应用潜力。

主权项

一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器，其特征在于：以n型GaAs基底(2)作为所述近红外探测器的基区，在所述n型GaAs基底(2)的背面蒸镀有n型GaAs基底电极(1)；在所述n型GaAs基底(2)的正面蒸镀有钝化层(3)；在所述钝化层(3)表面蒸镀有绝缘层(4)，所述绝缘层(4)的面积为所述钝化层(3)面积的1/2到2/3；在所述绝缘层(4)上蒸镀有石墨烯电极(5)，所述石墨烯电极(5)的边界不超出所述绝缘层(4)的边界；在所述石墨烯电极(5)上转移有石墨烯(6)，所述石墨烯(6)一部分与石墨烯电极(5)接触，剩余部分与所述钝化层(3)上未覆盖绝缘层(4)的部分接触，所述石墨烯(6)的边界不超出所述钝化层(3)的边界，所述石墨烯(6)与石墨烯电极(5)为欧姆接触。