[发明专利]一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法在审
申请号: | 201410204646.1 | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN104112544A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 王可;何微微;冉云霞;季书林;叶长辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法。将银纳米线胶体刮涂或喷涂到合适的基底上,得到低导电性的银纳米线透明导电薄膜;接着进行高温及高压等后处理,可制得高透明度、高导电性的银纳米线透明导电基底;然后制备保护剂溶液,大比例稀释保护剂溶液,依据银纳米线薄膜选用的基底类型和大小选择合适的喷涂仪或旋涂仪,在银纳米线薄膜表面制得一薄层的保护层,最后自然晾干、用加热板加热或用吹风机吹干来固化保护层。本发明方法制得的银纳米线透明导电薄膜不仅能够防止硫化氢等气体的腐蚀,而且能够防止刮擦,通过3M胶带及铅笔刮擦测试,且具有良好的导电性和透过率。本发明法操作简单、成本低,可以进行大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化氢 气体 腐蚀 纳米 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)透明导电薄膜基底的准备:将玻璃基底或PET基底在乙醇、丙酮、去离子水中分别超声20‑30分钟,吹干后,用等离子清洗机清洗15‑20分钟,使其表面亲水;(2)银纳米线透明导电薄膜的制备:用3M胶带将基底固定在水平台上,取银纳米线胶体刮涂或喷涂到合适的基底上,用吹风机吹干;(3)银纳米线透明导电薄膜的后处理:若为玻璃基底,放在加热板上150‑200℃加热20‑30分钟后自然降温;若为PET基底,用压机20‑30MPa高压处理;(4)制备保护剂溶液,大比例稀释保护剂溶液,依据银纳米线薄膜选用的基底类型和大小选择合适的喷涂仪或旋涂仪,基底较小可选择旋涂仪,基底较大可选择喷涂仪,等距移动基底使其喷涂均匀,在银纳米线薄膜表面制得一薄层的保护层;(5)保护层固化:自然晾干、用加热板加热或用吹风机吹干来固化保护层。
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