[发明专利]替代氢气炉进行芯片烧结的方法

摘要

本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤1）对硅片的背面进行金属化处理；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热；3）将进行背面金属化处理后的硅芯片放置到封装载体的指定烧结区上；4）在上述硅芯片的表面施加超声能量，使硅不断地扩散到芯片背面和烧结区的金属层中，实现硅与背面和烧结区金属的紧密结合；5）将烧结好的产品从加热平台上取下，按阶梯降温原则降温至室温，完成烧结过程。所述方法具有操作简单，生产效率高，可靠性好，危险系数低，适用于深腔、小壳体、小面积芯片的烧结，实现了产品生产的安全、可靠和高效。

主权项

一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，其特征在于包括以下步骤：1）对硅片的背面进行金属化处理，形成备用硅芯片，硅芯片背面的金属为金砷合金，厚度为4000Å‑9000Å，所述硅芯片的大小为0.09mm2‑0.36mm2；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热，预热温度控制在400℃‑410℃之间，所述保护气体为N2或惰性气体；3）将进行背面金属化处理后的硅芯片放置到封装载体的指定烧结区上；封装载体与芯片对应位置的金层厚度为2.5μm‑5μm；4）在上述硅芯片的表面施加超声能量，使硅不断地扩散到芯片背面和烧结区的金属层中，实现硅与背面和烧结区金属的紧密结合；施加超声前延迟时间为：5000ms～7000ms；超声功率为:500～600mW；施加超声的时间为：300ms～500 ms；保护气体流量：2.5scfh～3.0scfh；5）将烧结好的产品从加热平台上取下，按阶梯降温原则降温至室温，完成烧结过程。