[发明专利]光学底板镜

摘要

本发明涉及光学底板镜。描述集成电路光学底板芯片和相关的半导体制作工艺以用于形成光学底板镜结构，其中镜结构通过使用依赖方向的各向异性湿蚀刻工艺选择性地刻蚀位于光学底板芯片晶圆上的光学波导半导体层(103)将光学信号垂直地偏转到光学底板芯片的平面外，来形成带有位于光学波导半导体层上的成角度的半导体侧壁表面(106)的第一凹口(107)，其中成角度的半导体侧壁表面(106)被处理以形成用于将光学信号垂直地偏转到光学波导半导体层的侧面或从侧面偏转的光学底板镜(116)。

主权项

1.一种半导体制作工艺，包括：提供包括光学波导半导体结构的晶圆；通过各向异性湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述光学波导半导体结构以在所述光学波导半导体结构上形成成角度的半导体侧壁表面；以及处理位于所述光学波导半导体结构上的所述成角度的半导体侧壁表面以形成用于将光学信号偏转到平行于主晶圆衬底表面的侧面内或外的镜；其中处理所述成角度的半导体侧壁表面包括：在所述光学波导半导体结构的所述成角度的半导体侧壁表面上选择性地形成一个或多个图案化的氧化保护层以暴露所述光学波导半导体结构的限定第一成角度的半导体侧壁表面的第一部分并且覆盖所述光学波导半导体结构的第二部分；用半导体氧化工艺氧化所述光学波导半导体结构的所述第一部分以产生带有大致平行于所述第一成角度的半导体侧壁表面在氧化之前所在位置的成角度的氧化物侧壁表面的氧化层；移除至少所述一个或多个图案化的氧化保护层以在所述晶圆内形成凹口；以及在所述凹口内从所述光学波导半导体结构的至少第二部分生长外延半导体层，以在所述外延半导体层和所述成角度的氧化物侧壁表面之间的接口处形成所述镜。