[发明专利]一种离子注入的方法无效
| 申请号： | 201410205401.0 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103972062A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 田慧;皇甫鲁江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种离子注入的方法，涉及半导体技术领域，可有效地阻挡离子的轰击，同时避免热效应引起的掩膜层硬化变形的问题，且易于去除，从而提高产品的良率；所述方法包括：在基板表面制备石墨薄膜，通过一次构图工艺形成石墨掩膜层，以所述石墨掩膜层为掩膜进行离子注入；用于离子注入工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入的方法，其特征在于，所述方法包括：在基板表面制备石墨薄膜；通过一次构图工艺形成石墨掩膜层；以所述石墨掩膜层为掩膜进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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