[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法，在该制作方法中，由于在形成填充发射区窗口以及覆盖薄氧化层表面和厚氧化层表面的多晶硅层之后，直接采用刻蚀工艺来去除发射区窗口区域之外的区域的多晶硅层，因此与现有方法相比，不需要对多晶硅层进行光刻处理，从而节省了生产成本。并且，由于不需要对多晶硅层进行光刻处理，因此不存在现有方法中的将多晶硅发射极的宽度设计为大于发射区窗口的宽度，从而可以减小芯片面积，进一步降低多晶硅发射极晶体管的生产成本。

主权项

一种多晶硅发射极晶体管的制作方法，在衬底上依次形成N型集电区、厚氧化层、P型基区和薄氧化层，其特征在于，在形成所述薄氧化层之后，还包括：采用光刻、刻蚀工艺在所述薄氧化层中形成发射区窗口，暴露出位于发射区窗口区域的P型基区；形成填充所述发射区窗口以及覆盖所述薄氧化层表面和所述厚氧化层表面的未掺杂的多晶硅层；对所述未掺杂的多晶硅层进行刻蚀处理，去除所述发射区窗口区域之外的区域的未掺杂的多晶硅层，保留所述发射区窗口中的未掺杂的多晶硅层；对所述发射区窗口中的未掺杂的多晶硅层进行掺杂，形成N型多晶硅发射极；对形成有所述N型多晶硅发射极的衬底进行第一热处理，使所述N型多晶硅发射极中的掺杂元素扩散至暴露出的所述P型基区的表层之中，形成N型扩散区；对形成有所述N型扩散区的衬底进行第二热处理。