[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域类型不同，在第一区域形成至少一个第一伪栅极，在第二区域形成至少一个第二伪栅极，第二伪栅极的特征尺寸大于或等于0.1微米；在衬底、第一伪栅极和第二伪栅极上形成介质层，介质层与第一伪栅极顶部、第二伪栅极顶部相平；之后，氧化第二伪栅极的顶部，在第二伪栅极顶部形成保护层；之后，去除第一伪栅极，在介质层中形成第一栅极凹槽；在第一栅极凹槽内填充满第一金属层，并且第一金属层覆盖保护层；去除高于介质层的第一金属层，形成第一金属栅极；之后，去除保护层和第二伪栅极。采用本发明的方法可以提高半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域类型不同；在所述第一区域形成至少一个第一伪栅极，在所述第二区域形成至少一个第二伪栅极，所述第二伪栅极的特征尺寸大于或等于0.1微米；在所述半导体衬底、第一伪栅极和第二伪栅极上形成介质层，所述介质层与所述第一伪栅极顶部和第二伪栅极顶部相平；形成所述介质层后，氧化所述第二伪栅极的顶部，在所述第二伪栅极顶部形成保护层；形成所述保护层后，去除所述第一伪栅极，在所述介质层中形成第一栅极凹槽；在所述第一栅极凹槽内填充满第一金属层，并且所述第一金属层覆盖所述保护层；去除高于介质层的所述第一金属层，形成第一金属栅极；形成第一金属栅极后，去除所述保护层和所述第二伪栅极。