[发明专利]可变电阻存储器结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括存储区。在存储区上设置存储器结构。存储器结构包括第一电极、可变电阻层、保护间隔件以及第二电极。第一电极具有位于存储区上的顶面和第一外侧壁表面。可变电阻层具有第一部分和第二部分。第一部分设置在第一电极的顶面的上方而第二部分从第一部分处向上延伸。保护间隔件设置在第一电极的顶面的部分的上方并且至少包围可变电阻层的第二部分。保护间隔件可被配置为保护可变电阻层内的至少一条导电路径。保护间隔件具有与第一电极的第一外侧壁表面基本对齐的第二外侧壁表面。第二电极设置在可变电阻层的上方。本发明还提供了一种形成可变电阻存储器结构的方法。

主权项

一种半导体结构，包括：存储区；以及存储器结构，设置在所述存储区上，所述存储器结构包括：第一电极，具有位于所述存储区上的顶面和第一外侧壁表面；可变电阻层，具有第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述第一电极的顶面的上方并且所述第二部分从所述第一部分处向上延伸；保护间隔件，设置在所述第一电极的顶面的一部分的上方并且至少包围所述可变电阻层的第二部分，其中，所述保护间隔件被配置为保护所述可变电阻层内的至少一条导电路径，并且所述保护间隔件具有与所述第一电极的第一外侧壁表面对齐的第二外侧壁表面；和第二电极，设置在所述可变电阻层的上方。