[发明专利]智能功率模块

摘要

本发明公开了一种智能功率模块，包括工作电压输入端、最高电压端、U相高压区供电电源负端、V相高压区供电电源负端、W相高压区供电电源负端、U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管、W相上桥臂IGBT管、U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管、W相下桥臂IGBT管、U相上桥臂MOS管、V相上桥臂MOS管、W相上桥臂MOS管、U相下桥臂MOS管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管、以及对应各上桥臂IGBT管设置的上桥臂驱动电路和对应各下桥臂IGBT管设置的下桥臂驱动电路。本发明智能功率模块能够降低对电网的干扰，并且，本发明智能功率模块的稳定性较好。

主权项

一种智能功率模块，其特征在于，包括工作电压输入端、最高电压端、U相高压区供电电源负端、V相高压区供电电源负端、W相高压区供电电源负端、U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管、W相上桥臂IGBT管、U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管、W相下桥臂IGBT管、U相上桥臂MOS管、V相上桥臂MOS管、W相上桥臂MOS管、U相下桥臂MOS管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管、以及对应各所述上桥臂IGBT管设置的上桥臂驱动电路和对应各所述下桥臂IGBT管设置的下桥臂驱动电路，其中，U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管及W相上桥臂IGBT管的门极均与上桥臂驱动电路连接；U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管及W相下桥臂IGBT管的门极均与下桥臂驱动电路连接；U相上桥臂IGBT管的发射极与U相下桥臂IGBT管的集电极连接，且与U相高压区供电电源负端连接；V相上桥臂IGBT管的发射极与V相下桥臂IGBT管的集电极连接，且与V相高压区供电电源负端连接；W相上桥臂IGBT管的发射极与W相下桥臂IGBT管的集电极连接，且与W相高压区供电电源负端连接；U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管及W相上桥臂IGBT管的集电极均与最高电压端连接；U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管及W相下桥臂IGBT管的发射极均接地；U相上桥臂MOS管的源极与U相上桥臂IGBT管的发射极连接，V相上桥臂MOS管的源极与V相上桥臂IGBT管的发射极连接，W相上桥臂MOS管的源极与W相上桥臂IGBT管的发射极连接；U相下桥臂MOS管的源极与U相下桥臂IGBT管的发射极连接，V相下桥臂MOS管的源极与V相下桥臂IGBT管的发射极连接，W相下桥臂MOS管的源极与W相下桥臂IGBT管的发射极连接；U相上桥臂MOS管、V相上桥臂MOS管及W相上桥臂MOS管的栅极和漏极均与上桥臂驱动电路连接，U相下桥臂MOS管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管的栅极和漏极均与下桥臂驱动电路连接。