[发明专利]半导体芯片的试验装置以及试验方法

摘要

本发明提供一种能够提高IPM的品质，降低IPM不合格品成本的半导体芯片的试验装置以及试验方法。本发明提供的半导体芯片(20)的试验装置(100)通过设置检测具有感测部(33)的半导体芯片(20)的感测电流Is的感测电阻(6)和测定由该感测电阻(6)产生的电压的电压测定器(7)，从而能够测定感测部(32)的动态雪崩电流Iavds的跳变。另外，通过使用该试验装置(100)来判定感测电压Vs是否存在跳变，将存在跳变的半导体芯片(20)作为不合格品的半导体芯片的试验方法，从而能够提高组装了合格品的半导体芯片的IPM的品质，降低不合格品成本。

主权项

一种半导体芯片的试验装置，其特征在于，包括：第一接触式探针，其一端与主电极接触，所述主电极与具有主体部和电流检测用的感测部的半导体芯片的所述主体部连接；第二接触式探针，其一端与感测电极接触；接触部件，其固定所述第一接触式探针和所述第二接触式探针；测定单元，其设置于所述第一接触式探针的另一端和所述第二接触式探针的另一端之间，测定流过第二接触式探针的感测电流；控制电路，其用于控制半导体芯片的开关动作；导电性支撑体，其支撑所述半导体芯片；电感，其一端与所述导电性支撑体连接；电容，其一端与所述电感的另一端连接；电源，其高电位侧与所述电容的一端连接；以及布线，分别连接有所述第一接触式探针的另一端、所述电容的另一端以及所述电源的低电位侧并连接到接地电极，其中，用所述测定单元测定所述感测部的动态雪崩电流。