[发明专利]混合半导体封装有效
| 申请号： | 201410208488.7 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN104183558B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | A·科姆波施;B·W·康戴;E·奥雷乔拉;M·瑞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体封装包括衬底、附接到衬底的第一侧的RF半导体裸片、附接到衬底的第一侧的电容器和在衬底的第一侧上的第一端子。半导体封装进一步包括将第一端子连接到RF半导体裸片的输出的铜或铝键合接线或带以及将电容器连接到RF半导体裸片的输出的金键合接线或带。金键合接线或带被设计用于与铜或铝键合接线或带相比在RF半导体裸片的操作期间适应更高的RF焦耳加热。也描述了对应的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：衬底；RF半导体裸片，附接到所述衬底的第一侧；电容器，附接到所述衬底的所述第一侧；第一端子，在所述衬底的所述第一侧上；铜或铝键合接线或带，将所述第一端子连接到所述RF半导体裸片的输出；以及金键合接线或带，将所述电容器连接到所述RF半导体裸片的所述输出，所述金键合接线或带被设计用于与所述铜或铝键合接线或带相比在所述RF半导体裸片的操作期间适应更高的RF焦耳加热。
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