[发明专利]磁阻随机存取存储器(MRAM)位单元的阵列结构设计有效
| 申请号： | 201410208924.0 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103956180B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 威廉·H·夏 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及磁阻随机存取存储器(MRAM)位单元的阵列结构设计。本发明揭示自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)位单元。所述位单元包括形成于第一平面中的源极线和形成于第二平面中的位线。所述位线具有与所述源极线的纵轴平行的纵轴，且所述源极线与所述位线的至少一部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 mram 单元 阵列 结构设计 | ||
【主权项】：
一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM位单元，其包含：用于导电的第一装置，其形成于第一平面中；以及用于导电的第二装置，其形成于第二平面中，且具有与所述用于导电的第一装置的纵轴平行的纵轴，其中所述用于导电的第一装置与所述用于导电的第二装置的至少一部分重叠；其中所述用于导电的第一装置包括第一横向延伸部，所述第一横向延伸部在所述第一平面中且在与所述用于导电的第一装置的所述纵轴垂直的方向上延伸，使得所述第一横向延伸部的一部分不与所述用于导电的第二装置重叠。
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