[发明专利]单晶硅蚀刻方法及所获得的半导体结构无效
| 申请号： | 201410209104.3 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103956321A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李宏奇;亚诺什·富克斯科;戴维·H·韦尔斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B81B1/00;B81C1/00;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构和一种单晶硅蚀刻方法。所述方法包括提供其中具有至少一个沟槽的单晶硅衬底。将所述衬底暴露至缓冲氟化物蚀刻溶液，所述溶液底切硅以在沿<100>方向图案化时提供横向承架。当沿<100>方向图案化时，所获得的结构包括底切特征。可使用本发明来制作先前认为过于昂贵、复杂及/或良率不佳的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 蚀刻 方法 获得 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：在单晶硅中至少一个沟槽且包含在所述单晶硅中由方形凹角界定的底切特征；及延伸至所述底切特征中的所述单晶硅的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410209104.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成音乐封装的引脚式LED
- 下一篇：一种用于模拟胶结测试的水泥环组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
