[发明专利]苯并二噻吩类聚合物、其制备方法、包括其的半导体组合物及应用其的太阳能电池

摘要

本发明公开了一种苯并二噻吩类聚合物、其制备方法、包括其的半导体组合物及应用其的太阳能电池。苯并二噻吩类聚合物具有如下结构：A₁、A₂、A₃、B₁、B₂及B₃分别独立地选自由氢原子、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、氰基、硝基、酯基、带有四个以下取代基R_X的芳基、带有四个以下取代基R_X的杂芳基、带有四个以下取代基R_X的芳烷基、卤素原子、卤代烷基、杂烷基、烯基和炔基组成的组；取代基R_X为氢原子、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、酯基、砜基或氟代烷基；上述苯并二噻吩类聚合物通过向苯并二噻吩中引入噻吩类侧链，能使聚合物分子具有更高的共轭程度，从而有利于提高聚合物材料的载流子迁移率。

主权项

一种苯并二噻吩类聚合物，其特征在于，所述苯并二噻吩类聚合物具有如式Ⅰ所示分子结构，所述式Ⅰ如下：式Ⅰ中，m＝5～1000；A₁、A₂、A₃、B₁、B₂及B₃分别独立地选自由氢原子、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、氰基、硝基、酯基、带有四个以下取代基R_X的芳基、带有四个以下取代基R_X的杂芳基、带有四个以下取代基R_X的芳烷基、卤素原子、卤代烷基、杂烷基、烯基和炔基所组成的组；所述取代基R_X为氢原子、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、酯基、砜基或氟代烷基；K具有如式Ⅱ或式Ⅲ所示的结构；所述式Ⅱ和式Ⅲ所示的结构如下：式Ⅱ和式Ⅲ中，M为带有三个以下取代基R_Y的亚乙烯基、带有三个以下取代基R_Y的亚乙炔基、带有三个以下取代基R_Y的单环亚芳基、带有三个以下取代基R_Y的双环亚芳基、带有三个以下取代基R_Y的多环亚芳基、带有三个以下取代基R_Y的单环杂亚芳基、带有三个以下取代基R_Y的双环杂亚芳基或带有三个以下取代基R_Y的多环杂亚芳基；所述取代基R_Y为芳基、硝基、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基或乙撑二氧基；R₁具有如式Ⅳ所示的结构；所述式Ⅳ所示的结构如下：式Ⅳ中，R₁中的R₂和R₃分别独立地选自由氢原子、C1～C30的烷基和C1～C30的烷氧基所组成的组。