[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种像素结构，包括一薄膜晶体管元件。薄膜晶体管元件包括一氧化物半导体层、一栅极绝缘层、一栅极、一第一连接电极、一第二连接电极、一介电层、一源极与一漏极。氧化物半导体层具有一通道区，以及一第一接触区与一第二接触区分别位于通道区的两相对侧。第一连接电极覆盖第一接触区的上表面，且第二连接电极覆盖第二接触区的上表面，其中第一连接电极与第二连接电极未与栅极绝缘层在垂直投影方向上重叠。源极经由第一连接电极与氧化物半导体层的第一接触区电性连接，而漏极经由第二连接电极与氧化物半导体层的第二接触区电性连接。

主权项

一种像素结构，包括：一基板；一薄膜晶体管元件，设置于该基板上，该薄膜晶体管元件包括：一氧化物半导体层，设置于该基板上，该氧化物半导体层具有一通道区，以及一第一接触区与一第二接触区分别位于该通道区的两相对侧；一栅极绝缘层，设置于该氧化物半导体层上，该栅极绝缘层设置于该通道区的一上表面并且未覆盖该第一接触区的一上表面以及该第二接触区的一上表面；一栅极，设置于该栅极绝缘层上；一第一连接电极与一第二连接电极，分别设置于该栅极绝缘层的两侧，该第一连接电极覆盖该第一接触区的该上表面并与该第一接触区的该上表面接触，且该第二连接电极覆盖该第二接触区的该上表面并与该第二接触区的该上表面接触，其中该第一连接电极与该第二连接电极未与该栅极绝缘层在一垂直投影方向上重叠；一介电层，设置于该栅极、该第一连接电极与该第二连接电极上，其中该介电层具有一第一接触洞未覆盖至少部分的该第一连接电极的一上表面，以及一第二接触洞未覆盖至少部分的该第二连接电极的一上表面；以及一源极与一漏极，设置于该介电层上，其中该源极经由该第一接触洞与该第一连接电极电性连接，且该漏极经由该第二接触洞与该第二连接电极电性连接；一第一保护层，设置于该介电层上，其中该第一保护层具有一第三接触洞，未覆盖至少部分的该漏极；一第一像素电极，设置于该第一保护层上，其中该第一像素电极经由该第三接触洞与该薄膜晶体管元件的该漏极电性连接；以及一储存电容元件设置于该基板上，其中该储存电容元件包括：一储存电容下电极，设置于该基板上；一电容介电层，设置于该储存电容下电极上并部分覆盖该储存电容下电极的一上表面；一储存电容上电极，设置于该电容介电层上；以及一导电图案，设置于该电容介电层的至少一侧并部分覆盖该储存电容下电极的该上表面；其中，该导电图案、该第一连接电极与该第二连接电极由同一层图案化导电层所构成且结构上彼此分离，该导电图案、该第一连接电极与该第二连接电极包括金属电极；以及该储存电容下电极与该氧化物半导体层是由同一层图案化氧化物半导体层所构成。