[发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置有效
申请号: | 201410211477.4 | 申请日: | 2012-12-03 |
公开(公告)号: | CN103995432B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 邓振玉;张沛;李跃松 | 申请(专利权)人: | 深圳清溢光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518057 广东省深圳市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明适用于光掩模生产领域,尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置,所述方法包括下述步骤按照光刻机设备的光斑大小,光束数量计算图形由于光束能量差异造成的条纹的图形收缩系数;根据所述收缩系数对图形中的所有顶点进行收缩,得到收缩图形;根据所述收缩图形在将收缩图形进行光刻前,在设备上使用相反系数进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因,对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补,使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况,使得降低光掩模板出现条纹的情况。 | ||
搜索关键词: | 降低 模板 条纹 方法 装置 | ||
【主权项】:
降低光掩模板条纹的方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:按照光刻机设备的光斑大小,光束数量计算图形由于光束能量差异造成的条纹的图形收缩系数;根据所述收缩系数对图形中的所有顶点进行收缩,得到收缩图形;根据所述收缩图形在将收缩图形进行光刻前,在设备上使用相反系数进行反补;所述图形收缩系数根据以下公式计算:K=1+(PITCH‑W*N*M)/PITCH;其中,K为图形收缩系数,PTICH为图形的间距,W为光刻机设备的光斑大小,N为光束数量,M=取整数(PITCH/(W*N));所述相反系数为所述图形收缩系数的倒数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳清溢光电股份有限公司,未经深圳清溢光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410211477.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种轮胎螺丝及其成型工艺
- 下一篇:通用风机运行参数的集成测量方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备