[发明专利]新型封装结构的半导体器件

摘要

本发明公开一种新型封装结构的半导体器件，包括图像传感芯片、透明盖板，钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的具有金属导电图形层，支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，此第一支撑围堰层与透明盖板接触，此第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，所述第二支撑围堰层内侧面具有若干个连续排列的V形缺口，所述第二支撑围堰层四个拐角处均设有弧形缺口；金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，所述钛层与钝化层接触。本发明缓解了应力，暴露环境中，不易被氧化腐蚀，有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，减小了器件的响应时间，能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求。

主权项

一种新型封装结构的半导体器件，其特征在于：包括图像传感芯片（1）、透明盖板（2），此图像传感芯片（1）的上表面具有感光区（3），所述透明盖板（2）边缘和图像传感芯片（1）的上表面边缘之间具有支撑围堰（4）从而在透明盖板（2）和图像传感芯片（1）之间形成空腔（13），此支撑围堰（4）与图像传感芯片（1）之间通过胶水层（5）粘合，图像传感芯片（1）下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（6），所述图像传感芯片（1）下表面和盲孔（6）侧表面具有钝化层（7），此盲孔（6）底部具有图像传感芯片（1）的引脚焊盘（8），所述钝化层（7）与图像传感芯片（1）相背的表面和盲孔（6）内具有与引脚焊盘（8）电连接的具有金属导电图形层（9），一防焊层（10）位于金属导电图形层（9）与钝化层（7）相背的表面，此防焊层（10）上开有若干个通孔（11），一焊球（12）通过所述通孔（11）与金属导电图形层（9）电连接，所述支撑围堰（4）由上下叠放的第一支撑围堰层（41）和第二支撑围堰层（42）组成，此第一支撑围堰层（41）与透明盖板（2）接触，此第二支撑围堰层（42）与图像传感芯片（1）接触，所述第二支撑围堰层（42）内侧面具有若干个连续排列的V形缺口（14），所述第二支撑围堰层（42）四个拐角处均设有弧形缺口（15）；所述金属导电图形层（9）由钛层（16）、铜层（17）、镍层（18）和钯层（19）依次叠放组成，所述钛层（16）与钝化层（7）接触。