[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，由于在形成前电极中的第一透明导电氧化物薄膜之后、形成栅线电极之前，在第一透明导电氧化物薄膜上通过压印和第一刻蚀处理形成具有纳米图形的掩膜层，以掩膜层作为遮挡体对第一透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理，清除掩膜层的纳米图形后得到具有绒面结构的第一透明导电氧化物薄膜。这样通过改变掩膜层的纳米图形能灵活调整第一透明导电氧化物薄膜的绒面结构，在实际操作过程中，相对于湿法刻蚀，其可控性和可重复性增强；并且以掩膜层作为遮挡体对第一透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理，可以使制得的绒面结构较为规整，在不影响硅异质结太阳能电池效率的前提下，达到增强减反效应的效果。

主权项

一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：晶硅衬底，在所述晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜和栅线电极，以及在所述晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层和背电极；其中，所述第一透明导电氧化物薄膜背离所述晶硅衬底的一侧，具有通过使用具有纳米图形的掩膜层作为遮挡体对所述第一透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理后的绒面结构；其中，所述具有纳米图形的掩膜层通过压印和第一刻蚀处理形成。