[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410213313.5 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103956349A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法，该铜金属化结构包括：依次位于衬底第一区域上方的第一阻挡层、第一籽铜层和第一铜金属化层，依次位于衬底第二区域上方的第二阻挡层、第二籽铜层，第二铜金属化层；该铜金属化结构还包括：第一增强层和第二增强层；其中，所述第一增强层位于所述第一籽铜层和所述第一铜金属化层之间，或者，所述第一增强层位于所述第一阻挡层和所述第一籽铜层之间，或者，所述第一增强层位于所述第一铜金属化层的上方；所述第二增强层位于所述第二籽铜层和所述第二铜金属化层之间，或者，所述第二增强层位于所述第二阻挡层和所述第二籽铜层之间，或者，所述第二增强层位于所述第二铜金属化层的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 芯片 金属化 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体芯片的铜金属化结构，所述功率半导体芯片包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域相隔离；所述第一区域为第一导电类型掺杂，所述第二区域为第二导电类型掺杂，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；其特征在于，所述铜金属化结构包括：依次位于所述第一区域上方的第一阻挡层、第一籽铜层和第一铜金属化层，依次位于所述第二区域上方的第二阻挡层、第二籽铜层，第二铜金属化层；所述铜金属化结构还包括：第一增强层和第二增强层；其中，所述第一增强层位于所述第一籽铜层和所述第一铜金属化层之间，或者，所述第一增强层位于所述第一阻挡层和所述第一籽铜层之间，或者，所述第一增强层位于所述第一铜金属化层的上方；所述第二增强层位于所述第二籽铜层和所述第二铜金属化层之间，或者，所述第二增强层位于所述第二阻挡层和所述第二籽铜层之间，或者，所述第二增强层位于所述第二铜金属化层的上方。
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