[发明专利]化学浴沉积的方法和系统有效
申请号: | 201410213787.X | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN104868018B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 蔡佩臻 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;C23C18/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于化学浴沉积的装置,包括限定化学罐的壳体、循环管道、和设置在化学罐内部的至少一个流量调节器件。化学罐具有位于顶面上的开口,并且化学罐配置为在其中接收和容纳至少一个衬底。循环管道具有位于化学罐内部的至少一部分,并且循环管道配置为向化学罐供给至少一种化学物质。至少一个流量调节器件包括涡轮机、扩散器和起泡器、或它们的组合中的任何一种。本发明涉及化学浴沉积的方法和系统。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种用于化学浴沉积的装置,包括:壳体,限定化学罐,所述化学罐具有位于顶面上的开口,并且所述化学罐配置为在所述化学罐中接收和容纳至少一个衬底;循环管道,具有位于所述化学罐内部的至少一部分,并且所述循环管道配置为向所述化学罐供给至少一种化学物质;以及至少一个流量调节器件,设置在所述化学罐内部,所述至少一个流量调节器件包括涡轮机或扩散器;其中,所述至少一个流量调节器件还包括邻近所述化学罐的底壁设置并且设置在所述化学罐的底壁之上的起泡器,并且所述起泡器配置为在所述化学罐内部提供气泡;其中,所述循环管道位于所述化学罐内部的部分具有配置为从所述循环管道向所述化学罐提供所述化学物质的多个通气孔,位于所述循环管道的所述部分上的所述多个通气孔的每个均配置为从所述循环管道基本上向下地提供所述化学物质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410213787.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管结构
- 下一篇:用于锗硅填充材料的成形腔
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的