[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201410214046.3 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN104183656B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 南正范;许美姬;李恩珠;郑一炯 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括第一导电类型的基板;第一掺杂区域,该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质;以及第一电极部,该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数,并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的基板;第一掺杂区域,该第一掺杂区域位于所述基板的第一表面并且含有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质;以及第一电极部,该第一电极部电连接到所述第一掺杂区域,其中,所述第一电极部包括热固树脂以及分布在所述热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子,并且所述第二导电粒子具有的功函数大于所述第一导电粒子的功函数,并且在接触所述第一掺杂区域的界面处形成硅化物,其中,所述硅化物部分位于在所述第一掺杂区域和所述第一电极部之间的界面处的所述第一掺杂区域内,并且其中,所述第一导电粒子、所述第二导电粒子和所述热固树脂分别位于所述第一掺杂区域和所述第一电极部之间的所述界面处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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