[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其包括：在半导体衬底上依次形成底部介质层‑氮化层‑顶部氧化层，构成硬掩膜层；经光刻和刻蚀工艺，在硬掩膜层中形成开口；以硬掩膜层为掩膜，在半导体衬底中形成浅沟槽结构；对氮化层的开口的内侧壁进行轻刻蚀；进行清洗与回刻工艺；通过采用对氮化层具有高刻蚀选择比的清洗药液，不仅可以对氮化层进行回刻，还可以进行清洗工艺，从而在一步工艺中完成清洗工艺和氮化层的回刻，避免了采用传统的磷酸进行氮化层回刻造成半导体衬底产生大量缺陷，提高了所制备的浅沟槽隔离结构的质量；并且，与现有的方法相比，简化了工艺步骤，提高了生产效率。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成底部介质层‑氮化层‑顶部氧化层，构成硬掩膜层；经光刻和刻蚀工艺，在所述硬掩膜层中形成开口；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底中形成浅沟槽结构；对所述氮化层的开口的内侧壁进行轻刻蚀；进行清洗与回刻工艺；其中，在进行清洗的过程中，以所述顶部氧化层为掩膜，采用对所述氮化层具有高刻蚀选择比的清洗药液仅对所述氮化层进行回刻，以扩大所述氮化层的开口，同时顶部氧化层和底部介质层不被刻蚀或者对顶部氧化层和底部介质层的刻蚀速率远小于对所述氮化层的刻蚀速率；所述高刻蚀选择比的清洗药液采用H2SO4和H2O2混合而成的标准清洗药液；将所述顶部氧化层剥离掉；在所述浅沟槽结构中生长衬垫氧化膜、以及填充氧化膜，从而形成所述的浅沟槽隔离结构。