[发明专利]单电容振荡器有效
| 申请号： | 201410215811.3 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103973224B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张轩;张宁;单一钟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种振荡器，包括充放电电路、第一和第二补偿电流支路及波形转换单元。充放电电路包括接电源的第一电流源、接地的第二电流源、与第一电流源连接于第一节点的PMOS开关管、与第二电流源连接于第二节点的NMOS开关管以及接地电容。PMOS开关管和NMOS开关管根据第一控制信号交替导通以控制接地电容的充放电。第一补偿电流支路用于在PMOS开关管切换为导通状态前拉低第一节点的电压，第二补偿电流支路用于在NMOS开关晶体管切换为导通状态前升高第二节点的电压。波形转换单元与接地电容相连，用于根据接地电容充放电所产生的充放电波形输出周期性的振荡方波。本发明的振荡器能够削弱充放电状态切换瞬间的电压跳变。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 振荡器 | ||
【主权项】：
一种振荡器，其特征在于，包括：充放电电路，其包括接电源的第一电流源、接地的第二电流源、PMOS开关晶体管、NMOS开关晶体管以及与所述PMOS和NMOS开关晶体管相连的接地电容；所述PMOS开关晶体管的栅极接第一控制信号、漏极与所述第一电流源的输出端连接于第一节点、源极连接所述接地电容及所述NMOS开关晶体管的漏极；所述NMOS开关晶体管的栅极接所述第一控制信号、源极与所述第二电流源的输入端连接于第二节点，所述PMOS开关晶体管和NMOS开关晶体管根据所述第一控制信号交替导通以控制所述接地电容的充放电；第一补偿电流支路，用于在所述PMOS开关晶体管切换为导通状态前拉低所述第一节点的电压，其包括串联的第一晶体管及第一阻性负载，所述第一晶体管与所述第一电流源的输出端连接于所述第一节点；第二补偿电流支路，用于在所述NMOS开关晶体管切换为导通状态前升高所述第二节点的电压，其包括串联的第二晶体管及第二阻性负载，所述第二晶体管与所述第二电流源的输入端连接于所述第二节点；以及波形转换单元，与所述接地电容相连，用于根据所述接地电容充放电所产生的充放电波形输出周期性的振荡方波。
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